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                      等離子體增強化學氣相沉積的主要過程

                      等離子體增強化學氣相沉積的主要過程

                      發布時間:2021-03-03 瀏覽次數:

                          很多朋友有問到等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)的基礎原理,今天我們就給大家來分享下。

                          等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)技術是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態物質發生化學反應,從而實現薄膜材料生長的一種新的制備技術。由于PECVD技術是通過應氣體放電來制備薄膜的,有效地利用了非平衡等離子體的反應特征,從根本上改變了反應體系的能量供給方式。一般說來,采用PECVD技術制備薄膜材料時,薄膜的生長主要包含以下三個基本過程:

                         首先,在非平衡等離子體中,電子與反應氣體發生初級反應,使得反應氣體發生分解,形成離子和活性基團的混合物;

                         其二,各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散輸運,同時發生各反應物之間的次級反應;

                         最后,到達生長表面的各種初級反應和次級反應產物被吸附并與表面發生反應,同時伴隨有氣相分子物的再放出。

                      離子體增強化學氣相沉積

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